芯片剥层技术在集成电路失效分析中的应用 随着集成电路向多层结构方向的发展，对芯片进行失效方向必须解决多层结构下层的可观察性的可测试性。本文介绍了失效分析中去钝化层、金属化层和层间介质等的各种方法，包括湿法腐蚀、反应离子刻蚀和FIB刻蚀等方法，结合图例进行剥层前后对比分析，并通过实例说明剥层技术在集成电路失效分析中的重要作用。