华南师范大学硕Ｌ学位论：定摘要硅衬底氮化镓生长的研究专业名称：材料物理与化学申请者姓名：曹健兴导师姓名：李述体摘要自２０世纪９０年代初ＧａＮ基ＬＥＤ研制成功以来，随着技术的发展，氮化镓基ＬＥＤ的性能取
硅锭、硅晶块、硅衬底、硅锭的制造方法和太阳能电池硅锭、硅晶块、硅衬底、硅锭的制造方法和太阳能电池硅锭、硅晶块、硅衬底、硅锭的制造方法和太阳能电池
硅衬底的制备.
硅衬底LED芯片主要制造工艺硅衬底LED芯片主要制造工艺硅衬底LED芯片主要制造工艺
Outline LED技术发展的必要性 硅衬底LED专利分析及未来发展 现有硅基LED专利分析 硅基LED的技术发展难点 硅基LED 发展及前 景展望 www.
IC工艺技术1-引言和硅衬底
件ChineseJournal ElectronDevicesVol. 29 No. 3Sep. 2006Application Study FA/OChelating Agent CleaningS
硅衬底结构LED芯片阵列封装热可靠性分析硅衬底结构LED芯片阵列封装热可靠性分析硅衬底结构LED芯片阵列封装热可靠性分析
前言第一章前言碳化硅由于其独特的物理性质和电学特性．被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件的极具潜力的宽带隙半导体材料”１。制备碳化硅晶体的历史可以追溯到１８９３年，但真正得到重视还是１９９１年６
项目名称：硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管 推荐单位：江西省科学技术厅 项目简介： 具有节能环保意义的LED 照明产业，是国内外重点发展的战略性新兴产业。国际上现有三条 LED 照明技术路线，分别是